>首页> IT >

简讯:革命性进阶 中国这项研究已突破传统的冯·诺依曼计算架构

时间:2022-11-03 08:50:18       来源:中关村在线

据了解,当今数据生产呈现爆炸式增长,传统的冯·诺依曼计算架构已成为未来继续提升计算系统性能的主要技术障碍。不久前,中国科学院上海微系统信息技术研究所,首次采用GNR边缘接触制备出目前世界上最小尺寸的相变存储单元器件。

而相变随机存取存储器(PCRAM)可以结合存储和计算功能,是突破冯·诺依曼计算构架瓶颈的理想路径选择。


(资料图)

小米 Xiaomi Book Air 13 2.8K OLED高清屏笔记本电脑(酷睿i5 16G 512G 翻转触控屏 正版office 办公长续航)

[经销商]京东商城

[产品售价]4999元

进入购买



PCRAM具有非易失性、编程速度快和循环寿命长等优点,但其中相变材料与加热电极之间的接触面积较大,造成相变存储器操作功耗较高,如何进一步降低功耗成为相变存储器未来发展面临的最大挑战之一。

中国科学院称,这是目前国际上首次采用GNR边缘接触实现极限尺寸的高性能相变存储单元,器件尺寸接近相变存储技术的缩放极限。该新型相变存储单元的成功研制代表了PCRAM在低功耗下执行逻辑运算的进步,为未来内存计算开辟了新的技术路径。

关键词: 冯·诺依曼 计算架构